Active Pixel Sensor for process evaluation
概要
プロセス評価（特にp-n接合、トランスファーゲート構造）のためアクティブピクセルセンサーをCMOS0.18umで製作し、中性子検出、光検出への応用を検討する。
メンバー
- 島崎昇一,Shimazaki Shouichi(代表:KEK,IPNS,専門技師)
- 東城順次,九州大学
- 内田智久,高エネルギー加速器研究機構,素粒子原子核研究所(ポストプロセス担当）
- 田中真伸,高エネルギー加速器研究機構,素粒子原子核研究所
- 庄子正剛,高エネルギー加速器研究機構,素粒子原子核研究所(ポストプロセス担当）
機能・特徴
チップサイズ：5mmx5mm
ピクセルサイズ：7umx20um
ピクセル数：512x32x2
ピクセル構造：3T,4T
読み出し方法：512cell毎にシリーズ読み出し
読み出し速度：〜10MHz
公開予定リソース
デバイス構造、回路図、レイアウト
図・写真等
3Tピクセル
4TピクセルTEG
関連リンク
発表論文リスト
