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Active Pixel Sensor for process evaluation

概要

プロセス評価(特にp-n接合、トランスファーゲート構造)のためアクティブピクセルセンサーをCMOS0.18umで製作し、中性子検出、光検出への応用を検討する。

メンバー
  • 島崎昇一,Shimazaki Shouichi(代表:KEK,IPNS,専門技師)
  • 東城順次,九州大学
  • 内田智久,高エネルギー加速器研究機構,素粒子原子核研究所(ポストプロセス担当)
  • 田中真伸,高エネルギー加速器研究機構,素粒子原子核研究所
  • 庄子正剛,高エネルギー加速器研究機構,素粒子原子核研究所(ポストプロセス担当)
機能・特徴

チップサイズ:5mmx5mm
ピクセルサイズ:7umx20um
ピクセル数:512x32x2
ピクセル構造:3T,4T
読み出し方法:512cell毎にシリーズ読み出し
読み出し速度:〜10MHz

公開予定リソース

デバイス構造、回路図、レイアウト

図・写真等

3Tピクセル

4TピクセルTEG

関連リンク

 

発表論文リスト

 

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