「ダイヤモンド電子デバイス実用化のための調査研究」ワークショップ
平成28年度 TIA連携プログラム探索推進事業「かけはし」
「ダイヤモンド電子デバイス実用化のための調査研究」ワークショップ
目的：
ダイヤモンド電子デバイス実用化のために必要な技術課題を議論し、その解決の
ため、TIAを中心とした共同研究を加速し、日本のダイヤモンド研究の体制作り
のきっかけとする。
日時：2016年8月10日（水曜日）
場所：産総研第２事業所 2-12棟（OSL棟） ２階会議室
73名の国内外産官学研究者のご参加ありがとうございました。
9:30 AM 挨拶 奥村元（産総研）
9:35 AM 本ワークショップの目的 山崎聡（産総研）
9:50 AM ダイヤモンド電子デバイスの現状と問題点 牧野俊晴（産総研）
10:30 AM ユーザの立場からのダイヤモンドパワーデバイスへの要望と期待 川波靖彦（安川電機）
ダイヤモンド結晶成長
1:00 PM ダイヤモンド薄膜成長の基礎と半導体ドーピング 小泉聡（物材機構）
1:40 PM ダイヤモンド単結晶基板開発 山田英明（産総研）
2:20 AM ダイヤモンド結晶構造評価 加藤有香子（産総研）
2:45 PM 休憩
ダイヤモンド単結晶の欠陥構造
3:15 PM 陽電子消滅技術とダイヤモンド薄膜欠陥構造 上殿明（筑波大学）
3:40 PM ダイヤモンド欠陥構造と、ESR、EDMRでできること。 梅田享英（筑波大学）
ダイヤモンドプロセス技術
4:05 PM 近接場光表面平坦化技術とダイヤモンド表面制御技術 八井崇（東大）
4:30 PM 電子デバイスにおけるMOS界面の重要性と制御技術 山部紀久夫（筑波大学）
4:55 PM − 5:15 PM 全体議論
5:30 PM 懇親会
