現在位置: ホーム R&D Project 高耐放射線計測 public "ダイヤモンド電子デバイス実用化のための調査研究"のキックオフミーティング

"ダイヤモンド電子デバイス実用化のための調査研究"のキックオフミーティング

TIAかけはし"ダイヤモンド電子デバイス実用化のための調査研究"のキックオフミーティング

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新しい機能を持つ次世代電子デバイスとしてダイヤモンド半導体が注目されており、研究開発は日本がリードしている。特につくば地区は、材料開発で物材機構が、また、産総研が電子デバイス開発で先端を走っており、これらの成果は、産総研・物材機構・筑波大学・東大の共同研究で得られたものである。今回、高エネルギー加速器研究機構を加え、TIA連携として体制を明確化し整備することにより、連携を加速し「産業界への橋渡し拠点」となるとともに基礎分野における「知の拠点」となることができる。その結果、ダイヤモンド半導体研究を、TIA連携の一つとして、世界に明確に発信することを目的とする。


30名を越える研究者の方々にご参加いただきました。ありがとうございました。

開催日時:6月24日(金曜日)午後2時半より
開催場所:高エネルギー加速器研究機構 研究本館会議室1(小林ホール横)

 1.フォトンファクトリー施設
 2.Super KEKB施設内Belle-II測定器
 3.時間があれば展示ホールを見学

  • 懇親会:職員会館一階レストラン 午後5時10分~

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