ワイドギャップ半導体の量子ビーム応用研究会

目的：先端加速器の高強度化、高輝度化、小型化の研究開発のトレンドから材料を検討すると、ワイドギャップ半導体の物性は非常に魅力があり今後の量子ビーム分野の研究開発にとって必要不可欠な材料である事がわかる。この研究会を通し、ワイドギャップ半導体（ダイヤモンド及び窒化硅素）の量子ビーム応用について、結晶、プロセス、デバイス、応用の観点から異なる分野の研究者間で議論を行い、今後の研究者間の連携と研究開発の加速を促し、海外を凌ぐ先端研究開発の拠点を日本に形成する。

日時：2016年8月22日

場所：産業技術総合研究所第２事業所　C棟7階715室

参加希望の方はushioda@post.kek.jpまでご連絡ください。AIST入構手続き等が必要になります。

9:30~：始めに（産業技術総合研究所,筑波大学:山崎聡)
9:40~10:10 ダイヤモンド膜とプロセスの特徴と現状 (仮題）（産業技術総合研究所,先進パワーエレクトロニクス研究センター:小倉政彦）
10:10~10:20 議論
10:20~10:50 薄膜ダイヤモンドを用いた透過型荷電粒子検出器の開発（群馬大,工学府電子情報：加田渉）
10:50~11:00 議論
11:00~11:10 休憩
11:10~11:40 ワイドギャップ半導体の欠陥エンジニアリングとその応用（仮題）(量子科学技術研究開発機構,高崎量子応用研究所:大島武）

11:40~11:50 議論

11:50~13:00 昼食

13:00~13:20 デバイス特性・信頼性から見たSiCウェハの現状と課題(産業技術総合研究所,先進パワーエレクトロニクス研究センター:田中保宣)

13:20~13:30 議論
13:30~13:50 SiCのセンサーの原子力応用（仮題）（量子科学技術研究開発機構,高崎量子応用研究所:牧野高紘）

13:50~14:00 議論
14:00~14:20 NIMSでのダイヤモンドデバイス開発（仮題）（物質・材料研究機構,ワイドギャップ材料グループ:小泉聡)

14:20~14:30 議論
14:30~14:50 ダイヤモンド検出器のJ-PARCでの応用(仮題）(高エネルギー加速器研究機構,素粒子原子核研究所:西口創）
14:50~15:00 議論
15:00~15:10 休憩
15:20~15:40 ダイヤモンドの加速器応用：誘電体加速、遷移放射X線等（仮題）（高エネルギー加速器研究機構,加速器研究施設:吉田光宏)
15:40~15:50 議論
15:50~16:00 放射光ビームライン技術でのダイヤモンドの利用状況（高エネルギー加速器研究機構,物質構造科学研究所：杉山弘）
16:00~16:10 議論

17:00〜　　懇親会